Принципиальная схема МТЯ памяти показана на рис. 5.3. Нагрузкой ее являются входные (записывающие) обмотки нескольких сердечников с прямоугольной петлей гистерезиса. Они то и хранят информацию, а транзистор играет только роль усилителя мощности.

Рис. 5.3. Магнитно-транзисторные ячейки с положительной обратной связью

в цепи коллектора (а) и в цепи эмиттера (б)

При записи 1 импульсом  и считывании 0 тактовым импульсом  в базовой области транзистора  появится ЭДС, запирающая транзистор, либо ЭДС помехи, чуть приоткрывающая его. Нужно выбрать параметры схемы так, чтобы ЭДС помехи не выводила воспринимающие сердечники за напряженность выше коэрцитивной силы.

При передаче 1 тактовым импульсом  ЭДС, наведенная в обмотке , открывает транзистор. После перемагничивания воспринимающих сердечников, противо ЭДС их входных обмоток практически станет равной нулю и происходит так называемый прорыв тока. Резистор  ограничивает этот ток до величины:

.

Для увеличения коэффициента усиления транзистора в цепь коллектора (см. рис. 5.3, а) или в цепь эмиттера (см. рис. 5.3, б) введена обмотка положительной обратной связи. Обратные связи действуют только при передаче единицы тактовым импульсом . Процесс идет лавинообразно. После перемагничивания сердечника ЭДС обмотки  становится равной нулю и транзистор запирается. Этому способствует и отрицательный импульс ЭДС  при переходе сердечника от  до .