1.7. Пространство между пластинами плоского конденсатора заполнено парафином (e = 2). Расстояние между пластинами d = 8,85 мм. Какую разность потенциалов необходимо подать на пластины, чтобы поверхностная плотность связанных зарядов на парафине составляла 0,1 нКл/см²?

[1 кВ]

1.8. Расстояние между пластинами конденсатора составляет d = 5 мм. После зарядки конденсатора до разности потенциалов U = 500 В между пластинами конденсатора вдвинули стеклянную пластинку (e = 7). Определить: 1) диэлектрическую восприимчивость стекла; 2) поверхностную плотность связанных зарядов на стеклянной пластинке.

[1) 6; 2) 759 нКл/м²]

1.9. Между пластинами плоского конденсатора помещено два слоя диэлектрика – слюдяная пластинка (e₁ = 7) толщиной d₁ = 1 мм и парафин (e₂ = 2) толщиной d₂ = 0,5 мм. Определить: 1) напряженности электростатических полей в слоях диэлектрика; 2) электрическое смещение, если разность потенциалов между пластинами конденсатора U = 500 В.

[1) = 182 кВ/м;   = 637 кВ/м;  2)  = 11,3 мкКл/м²]

1.10. Расстояние между пластинами плоского конденсатора составляет d = 1 см, разность потенциалов U = 200 В. Определить поверхностную плотность s^/ связанных зарядов эбонитовой пластинки (e = 3) толщиной d = 8 мм, помещенной на нижнюю пластину конденсатора.

[253 нКл/м²]

1.11. Расстояние между пластинами плоского конденсатора d = 5 мм, разность потенциалов U = 1,2 кВ. Определить: 1) поверхностную плотность заряда на пластинах конденсатора; 2) поверхностную плотность связанных зарядов на диэлектрике, если известно, что диэлектрическая восприимчивость, c = 1.

[1) 4,24 мкКл/м²;   2) 2,12 мкКл/м²]